自研SiC熱沉

慧琳 2024-09-24 17:22 11次浏览 0 条评论 taohigo.com

半導體激光器的核心技術之一是散熱技術,因為通常半導體激光器的尺寸很小,工作時熱流密度極高,如果不能及時散熱,會使結點溫度升高,將極大地影響其閾值功率、斜效率,輸出功率、波長和平均壽命等參數,甚至徹底損壞激光器。熱沉是半導體激光器熱量傳遞時的容器,屬於散熱技術的關鍵核心部件,熱沉的散熱能力決定瞭半導體激光器的性能和壽命。[1]

SiC的導熱系數是490W/(MK),比AlN等導熱系數高很多,因而米格實驗室創新性的將SiC制備成用於激光器散熱的熱沉。圖一展示瞭本公司研制的SiC熱沉。SiC熱沉尺寸3mm * 6mm * 0.5mm,兩面各鍍瞭厚度為1μm的Ti/Au層,如圖二所示。

圖一 SiC熱沉圖片

圖二 SiC熱沉產品示意圖 a.截面 b.表面

★ SiC的一些性質 ★

參考文獻:

[1]范嗣強,大功率半導體激光器熱沉技術的研究現狀

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